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參數資料
型號: IRFZ44NL
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 0.0175ohm,身份證\u003d 49A條)
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 64K
代理商: IRFZ44NL
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
IRFZ44NS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44VL Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
IRFZ44VS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
IRFZ44VZ Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFZ44NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 49A 3PIN TO-262 - Bulk
IRFZ44NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFZ44NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 41A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 49A TO-220AB
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