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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC10S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管IGBT的標(biāo)準(zhǔn)速度（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）typ.1.10V @和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 2.0安培） |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | IRG4BC10S |
IRG4BC10S
Standard Speed IGBT
4/24/2000
www.irf.com
1
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Extremely low voltage drop; 1.1V typical at 2A
S-Speed: Minimizes power dissipation at up to 3
KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4
KHz in brushless DC drives, up to 2KHz in
Chopper Applications
Very Tight Vce(on) distribution
Industry standard TO-220AB package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency
available
IGBTs optimized for specified application conditions
Lower conduction losses than many Power
MOSFET''s
Benefits
Thermal Resistance
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.10V
@V
GE
= 15V, I
C
= 2.0A
TO-220AB
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
2.0(0.07)
Max.
3.3
–––
50
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.
Max.
600
14
8.0
18
18
± 20
110
38
15
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25
°
C
I
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
T
C
= 25
°
C
P
D
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
STG
A
mJ
-55 to +150
°
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbf
in (1.1 N
m)
Absolute Maximum Ratings
W
PD - 91786A
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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