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參數資料
| 型號： | IRG4BC20UD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IRG4BC20UD-SPBF |
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
600
13
6.5
52
52
7.0
52
± 20
60
24
V
A
V
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
°C
IRG4BC20UD-SPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
UltraFast: Optimized for high operating frequencies
8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant
mode
Generation 4 IGBT design provides tighter para-
meter distribution and higher efficiency than
Generation 3
IGBT co-packaged with HEXFRED
TM
ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
Industry standard D
2
Pak package
Lead-Free
Benefits
Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies
available
Optimized for specific application conditions
HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
Designed to be a "drop-in" replacement for
equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Absolute Maximum Ratings
E
G
N-channel
C
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.85V
@V
GE
= 15V, I
C
= 6.5A
UltraFast CoPack IGBT
PD- 95565
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
1.44
Max.
2.1
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
1
D
2
Pak
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20UDPBF | UltraFast CoPack IGBT |
| IRG4BC20UPBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS157N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| IRG4BC20U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) |
| IRG4BC20W | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRG4BC30FD-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC20UD-STRL | 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20UDSTRLP | 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20UD-STRR | 功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20UDSTRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V 13A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC20UPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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