- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377515 > IRG4BC20U (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4BC20U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.85V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 6.5A） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IRG4BC20U |
Parameter
Max.
600
13
6.5
52
52
± 20
5.0
60
24
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Features
UltraFast: optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.85V
@V
GE
= 15V, I
C
= 6.5A
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
2.1
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
2.0 (0.07)
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
TO-220AB
4/17/2000
1
E
C
G
n-channel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRG4BC30FD-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| IRG4BC30FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| IRG4BC30FD1PBF | Fast CoPack IGBT |
| IRG4BC30FD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC20UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC20UDS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A) |
| IRG4BC20UD-S | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20UD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。