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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC30FD-S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，二極管HYPERFAST |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 1267K |
| 代理商： | IRG4BC30FD-S |
IRG4BC30FD-S
Fast CoPack IGBT
PD - 96929
www.irf.com
1
=
E
G
n-channel
C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
HYPERFAST DIODE
Features
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D
2
Pak
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
12
120
±20
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)
Clamped Inductive Load current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
-55 to +150
°C
Parameter
Min.
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case- IGBT
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady state)
Weight
g (oz.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRG4BC30FD1 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRG4BC30FPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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