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參數資料
| 型號： | IRG4BC30FD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，二極管HYPERFAST |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1182K |
| 代理商： | IRG4BC30FD-SPBF |
IRG4BC30FD-SPbF
PD - 95970
www.irf.com
1
=
E
G
n-channel
C
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
HYPERFAST DIODE
Features
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2
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D
2
Pak
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
12
120
±20
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)
Clamped Inductive Load current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
-55 to +150
°C
Parameter
Min.
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case- IGBT
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady state)
Weight
g (oz.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| IRG4BC30FD1PBF | Fast CoPack IGBT |
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| IRG4BC30FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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