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參數資料
| 型號： | IRG4BC30KD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | INSUKATED GATEBIPOLAR晶體管超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 363K |
| 代理商： | IRG4BC30KD-SPBF |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRG4BC30K | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRG4BC30KDSTRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC30KPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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