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參數資料
型號: IRG4BH20K-LPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 1200伏,的Vce(on)典型.\u003d 3.17V,@和VGE \u003d 15V.Ic \u003d 5.0a中)
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代理商: IRG4BH20K-LPBF
www.irf.com
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IRG4BH20K-LPbF
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PDF描述
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IRG4IBC20UDPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.4 to 5.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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參數描述
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IRG4BH20K-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BH20K-SPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR PACKAGE/CASE:D2-PAK
IRG4BH20K-STRLP 功能描述:IGBT 模塊 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BH40FD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
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