型號: | IRG4BH20K-LPBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A ) |
中文描述: | 絕緣柵雙極晶體管(VCES和\u003d 1200伏,的Vce(on)典型.\u003d 3.17V,@和VGE \u003d 15V.Ic \u003d 5.0a中) |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 304K |
代理商: | IRG4BH20K-LPBF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4IBC10UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRG4IBC20UDPBF | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.4 to 5.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
IRG4IBC30KDPBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
IRG4IBC30SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRG4BH20K-S | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BH20K-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4BH20K-SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR PACKAGE/CASE:D2-PAK |
IRG4BH20K-STRLP | 功能描述:IGBT 模塊 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IRG4BH40FD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |