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參數資料
| 型號： | IRG4IBC30S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRG4IBC30S |
Parameter
Max.
600
23.5
13.0
68
68
± 20
10
45
18
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
°C
IRG4IBC30S
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 94293
E
C
G
Features
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.4V
@V
GE
= 15V, I
C
= 18A
Absolute Maximum Ratings
W
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.8
65
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
2.1 (0.075)
g (oz)
Thermal Resistance
08/02/01
N-channel
www.irf.com
1
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating freqencies (<1 kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
Industry standard TO-220 Full-Pak
Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
IGBTs optimized for specific application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry -standard Generation 3 IR IGBTs
TO-220 Full-Pak
°
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4IBC30WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4IBC30UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4IBC30KD | GT 19C 19#16 SKT RECP |
| irg4ibc30w | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4PC30FDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4IBC30SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC30UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4IBC30UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC30W | 功能描述:IGBT WARP 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4IBC30WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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