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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRG4PSH71 |
| 廠(chǎng)商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.97V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 42A條） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRG4PSH71 |
IRG4PSH71K
Short Circuit Rated
UltraFast IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 91687A
E
C
G
n-channel
PRELIMINARY
Features
Hole-less clip/pressure mount package compatible
with TO-247 and TO-264, with reinforced pins
High short circuit rating IGBTs, optimized for
motorcontrol
Minimum switching losses combined with low
conduction losses
Tightest parameter distribution
Creepage distance increased to 5.35mm
Highest current rating IGBT
Maximum power density, twice the power
handling of the TO-247, less space than TO-264
Benefits
V
CES
= 1200V
V
CE(on) typ.
= 2.97V
@V
GE
= 15V, I
C
= 42A
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
SC
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
1200
78
42
156
156
10
± 20
170
350
140
V
μs
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
W
5/11/99
www.irf.com
1
SUPER - 247
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Recommended Clip Force
Weight
Min.
–––
–––
–––
20.0(2.0)
–––
Typ.
–––
0.24
–––
–––
6 (0.21)
Max.
0.36
–––
38
–––
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°C/W
N (kgf)
g (oz)
Thermal Resistance\ Mechanical
Parameter
Max.
Units
A
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