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參數資料
型號: IRHE58Z30
英文描述: 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
中文描述: 30V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 120K
代理商: IRHE58Z30
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHE57034
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
600
1200
1800
2400
3000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
12A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1ms
1
0ms
OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY
100μs
RDS (on)
相關PDF資料
PDF描述
IRHE7110 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
IRHE8110 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
IRHE9230 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC
IRHE93230 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC
IRHF53Z30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39
相關代理商/技術參數
參數描述
IRHE7110 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
IRHE7110SCS 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk
IRHE7110SCV 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk
IRHE7130 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk
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