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參數資料
| 型號： | IRHE58Z30 |
| 英文描述： | 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| 中文描述： | 30V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IRHE58Z30 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHE57034
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
.
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
5.4A
7.6A
12A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHE7110 | 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| IRHE8110 | 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| IRHE9230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC |
| IRHE93230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC |
| IRHF53Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHE7110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE7110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE7110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE7130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE7130SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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