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參數資料
| 型號： | IRHE8110 |
| 英文描述： | 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| 中文描述： | 100V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | IRHE8110 |
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHE7110
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHE9230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC |
| IRHE93230 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC |
| IRHF53Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF54034 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF54Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHE8110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE8110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE9110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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