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參數資料
型號: IRHE8110
英文描述: 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package
中文描述: 100V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝
文件頁數: 12/12頁
文件大小: 280K
代理商: IRHE8110
12
www.irf.com
IRHE7110
Pre-Irradiation
Pulse width
300
μ
s; Duty Cycle
2%
Total Dose Irradiation with VGS Bias.
12 volt VGS applied and VDS = 0 during
irradiation per MIL-STD-750, method 1019, condition A.
Total Dose Irradiation with VDS Bias.
80 volt VDS applied and VGS = 0 during
irradiation per MlL-STD-750, method 1019, condition A.
Repetitive Rating; Pulse width limited by
maximum junction temperature.
VDD = 25V, starting TJ = 25
°
C, L=11.1mH
Peak IL = 3.5A, VGS =12V
ISD
3.5A, di/dt
140A/
μ
s,
VDD
100V, TJ
150
°
C
Foot Notes:
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
Data and specifications subject to change without notice. 04/02
Case Outline and Dimensions
LCC-18
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PDF描述
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IRHE93230 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC
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IRHF54034 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39
IRHF54Z30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39
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