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參數資料
| 型號： | IRHE8110 |
| 英文描述： | 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
| 中文描述： | 100V的1000kRad高可靠性單個N -溝道工貿署在18硬化MOSFET的引腳LCC封裝 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | IRHE8110 |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHE7110
Fig 6.
Typical On-State Resistance Vs.
Neutron Fluence Level
Fig 5.
Typical Zero Gate Voltage Drain
Current Vs. Total Dose Exposure
Fig 7.
Typical Transient Response
of Rad Hard HEXFET During 1x10
12
Rad (Si)/Sec Exposure
Fig 8b.
V
DSS
Stress Equals
80% of B
VDSS
During Radiation
Fig 8a.
Gate Stress of
V
GSS
Equals 12 Volts During
Radiation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRHF54Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHE8110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE8110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHE8130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHE9110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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