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參數資料
| 型號： | IRHG563110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣|互補| 100V的五（巴西）直| 960MA（丁）|雙酯 |
| 文件頁數： | 12/14頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRHG563110 |
IRHG567110
Pre-Irradiation
12
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
P-Channel
Q2,Q4
V
GS
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-
D
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHG567110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHM150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254AA |
| IRH250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHG567110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 100V 1.6A/0.96A 14PIN MO-036AB - Rail/Tube |
| IRHG567110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG567110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG57110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 1.6A 14PIN MO-036AB - Rail/Tube |
| IRHG57110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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