- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360958 > IRHG563110 TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHG563110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣|互補(bǔ)| 100V的五（巴西）直| 960MA（?。﹟雙酯 |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | IRHG563110 |
www.irf.com
13
Pre-Irradiation
IRHG567110
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
P-Channel
Q2,Q4
.
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-0.4A
-0.6A
-0.96A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHG567110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHM150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254AA |
| IRH250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHG567110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 100V 1.6A/0.96A 14PIN MO-036AB - Rail/Tube |
| IRHG567110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG567110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG57110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 1.6A 14PIN MO-036AB - Rail/Tube |
| IRHG57110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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