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參數資料
型號: IRHN7250SE
英文描述: 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-1 package
中文描述: 200伏100kRad高可靠性單N通道看到一貼片MOSFET的硬化- 1封裝
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 126K
代理商: IRHN7250SE
IRHN7250SE
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
I
D
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料
PDF描述
IRHN8054 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 42A I(D) | LLCC
IRHN9250 -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package
IRHN93130 -100V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package
IRHN93150 -100V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-1 package
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