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參數資料
| 型號： | IRHNA57163SE |
| 英文描述： | 130V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| 中文描述： | 130V 100kRad高可靠性單N通道看到一貼片MOSFET的硬化- 2包 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | IRHNA57163SE |
6
www.irf.com
IRHNB7064
Pre-Irradiation
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
GS
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
I
D
LIMITED BY PACKAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHNA57260SE | 200V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| IRHNA57264SE | 250V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
| IRHNA5760SE | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 55A I(D) | SMT |
| IRHNA57Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
| IRHNA58Z60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRHNA57163SED/SLDC | 制造商:International Rectifier 功能描述:130V 750.000A HEXFET RADHARD - Bulk |
| IRHNA57163SESCSD | 制造商:International Rectifier 功能描述:DATAPACK/IRHNA57163SESCSD - Bulk |
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| IRHNA57260 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:200V, N-CHANNEL |
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