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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHY58130CM |
| 英文描述： | 100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
| 中文描述： | 100V的1000kRad高可靠性單N溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 257AA封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | IRHY58130CM |
IRHY57034CM
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
35
I
D
LIMITED BY PACKAGE
V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHY58230CM | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-257AA |
| IRHY58Z30CM | 30V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
| IRHY593130CM | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | TO-257AA |
| IRHY593230CM | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
| IRHY597130CM | -100V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHY58230CM | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHY58Z30CM | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHY593034CM | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHY593034CMSCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHY593034CMSCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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