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參數資料
| 型號： | IRL3103D1S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY⑩ MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER(Vdss=30V, Rds(on)=0.014ohm, Id=64A) |
| 中文描述： | FETKY⑩MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRL3103D1S |
IRL3103D1S
PD- 9.1558A
4/2/98
Description
The FETKY family of co-packaged HEXFET power
MOSFETs and Schottky Diodes offer the designer an
innovative board space saving solution for switching
regulator applications. A ow on resistance Gen 5 MOSFET
with a low forward voltage drop Schottky diode and
minimized component interconnect inductance and
resistance result in maximized converter efficiencies.
The D
2
Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because
of its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
FETKY
TM
MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIER
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
1.4
40
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
°C/W
Thermal Resistance
G
D
S
D2
TO-262
l
Co-packaged HEXFET
Power MOSFET
and Schottky Diode
l
Generation 5 Technology
l
Logic Level Gate Drive
l
Minimize Circuit Inductance
l
Ideal For Synchronous Regulator Application
Parameter
Max.
64
45
220
3.1
89
0.56
± 16
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W
W/°C
V
V
GS
T
J
T
STG
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
= 30V
R
DS(on)
= 0.014
I
D
= 64A
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PDF描述 |
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