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參數資料
| 型號： | IRLML2803PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | IRLML2803PBF |
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S
D
G
Micro3
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Peak diode Recovery dv/dt
Junction and Storage Temperature Range
mW
mW/°C
V
mJ
V
GS
E
AS
dv/dt
T
J ,
T
STG
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
Max.
230
Units
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
3.9
5.0
A
540
4.3
±20
Max.
1.2
0.93
7.3
-55 to + 150
www.irf.com
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLML5103PBF | HEXFET-R POWER MOSFET |
| IRLML5103 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRLML5203PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRLML5203 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRLML6302PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLML2803TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLML2803TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 1.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| IRLML2803TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLML2803TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML402TR | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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