- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377535 > IRLR120 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRLR120 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRLR120 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU120 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRLR2705PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU2705PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR2905PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU2905PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLR120A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLR120ATF | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR120ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLR120N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
| IRLR120NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 10A 3PIN DPAK - Rail/Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。