- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377535 > IRLU120 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLU120 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | IRLU120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR2705PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU2705PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR2905PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU2905PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR2905ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLU120A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251AA |
| IRLU120ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLU120N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC I-PAK |
| IRLU120NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
| IRLU120NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。