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參數(shù)資料
型號: IRLU7807Z
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 1/11頁
文件大?。?/td> 168K
代理商: IRLU7807Z
www.irf.com
1
4/7/03
IRLR7807Z
IRLU7807Z
HEXFET
Power MOSFET
Notes
c
through
g
are on page 11
Applications
z
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Benefits
z
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
z
Ultra-Low Gate Impedance
z
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR7807Z
I-Pak
IRLU7807Z
PD - 94662
V
DSS
R
DS(on)
max Qg (typ.)
30V
13.8m
7.0nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
c
Maximum Power Dissipation
g
Maximum Power Dissipation
g
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.75
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
°C/W
Junction-to-Ambient
40
20
Max.
30
43
f
30
f
170
± 20
0.27
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR7807Z HEXFET Power MOSFET
IRLZ34NLPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A )
IRLZ34NSPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A )
IRLZ44NSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLZ44SPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLU7807ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 43A 3PIN IPAK - Bulk
IRLU7807ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU7807ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRLU7821 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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