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參數(shù)資料
| 型號： | IS42LS32400A-10T |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件頁數(shù)： | 23/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42LS32400A-10T |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
23
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
AC TEST CONDITIONS
Input Load
Output Load
Output
Z
= 50
30 pF
Vddq
350
350
1.6V
0.9V
0.2V
CLK
INPUT
OUTPUT
t
CHI
t
CH
t
AC
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
1.6V
0.9V
0.9V
0.9V
0.2V
AC TEST CONDITIONS
Parameter
AC High Level Input Voltage/Low Level Input Voltage
Input Rise and Fall Times
Input Timing Reference Level
Output Timing Measurement Reference Level
Unit
1.6V to 0.2V
1 ns
0.9V
0.9V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400A-10T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-10TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS81600A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS81600A-10TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42LS81600A-7T | RES 23.2K-OHM 1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
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參數(shù)描述 |
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