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參數資料
型號: IS42LS32400A-10T
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 16Meg × 8,8Meg x16
文件頁數: 7/66頁
文件大小: 556K
代理商: IS42LS32400A-10T
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
7
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
PIN CONFIGURATIONS
86 pin TSOP - Type II for x32
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
I/O0 to I/O31
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
V
DD
I/O0
V
DD
Q
I/O1
I/O2
V
SS
Q
I/O3
I/O4
V
DD
Q
I/O5
I/O6
V
SS
Q
I/O7
NC
V
DD
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
A11
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
I/O16
V
SS
Q
I/O17
I/O18
V
DD
Q
I/O19
I/O20
V
SS
Q
I/O21
I/O22
V
DD
Q
I/O23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
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55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
I/O15
V
SS
Q
I/O14
I/O13
V
DD
Q
I/O12
I/O11
V
SS
Q
I/O10
I/O9
V
DD
Q
I/O8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
I/O31
V
DD
Q
I/O30
I/O29
V
SS
Q
I/O28
I/O27
V
DD
Q
I/O26
I/O25
V
SS
Q
I/O24
V
SS
WE
Write Enable
DQM0-DQM3
x32 Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關PDF資料
PDF描述
IS42S32400A-10T 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400A-10TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS81600A 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS81600A-10TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS81600A-7T RES 23.2K-OHM 1% 0.125W 25PPM THIN-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
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參數描述
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IS42LS32400A-7T 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS32400A-7TI 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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