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參數資料
| 型號： | IS42S16800A-7TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數： | 10/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | IS42S16800A-7TL |
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ISSI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
The extended mode register has four fields:
Options: A11-A7
Drive Strength: A6-A5
Temperature Compensated self Refresh: A4-A3
Partial Array Self Refresh: A2-A0
Following extended mode register programming, no com-
mand can be issued before at least 2 CLK have elapsed.
ACTIVE COMMAND
When the ACTIVE COMMAND is activated, BA0, BA1
inputs selects a bank to be accessed, and the address
inputs on A0-A11 selects the row. Until a PRECHARGE
command is issued to the bank, the row remains open for
accesses.
GENERAL DESCRIPTION Continued:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800A-7TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S16800A-7TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16800A-7TL-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16800A-7T-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16800B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6T | 功能描述:動態隨機存取存儲器 128M 8Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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