型號: | IXGH16N170 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | High Voltage IGBT |
中文描述: | 32 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA |
封裝: | PLASTIC, TO-268, D3PAK-3 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 107K |
代理商: | IXGH16N170 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGT16N170 | High Voltage IGBT |
IXGH17N100AU1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode |
IXGH17N100U1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode |
IXGH17N100 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
IXGH17N100A | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IXGH16N170_06 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
IXGH16N170A | 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1700 V 5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH16N170A_05 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
IXGH16N170AH1 | 功能描述:IGBT 晶體管 11 Amps 1700V 5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH16N60B2 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Transistors 600V 16A |