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參數資料
型號: IXGH20N80
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 800V的五(巴西)國際消費電子展| 40A條一(c)|至247
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代理商: IXGH20N80
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PDF描述
IXGH20N90 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGM20N90 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE
IXGM25N80 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE
IXGM25N90 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE
IXGH30N30S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 250V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH20N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH20N90A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
IXGH22N140IH 功能描述:MOSFET 22 Amps 1400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH22N170 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
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