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參數資料
型號: IXGH28N30AS
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 300V五(巴西)國際消費電子展|第56A一(c)|至247SMD
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代理商: IXGH28N30AS
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PDF描述
IXGH28N30BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N30S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH20N100U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247
IXGH20N30S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
IXGH20N50U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH28N30B 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH28N30BS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N30S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N60B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH28N60B3D1 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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