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參數資料
| 型號： | IXGH32N90B2 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 64 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | IXGH32N90B2 |
2005 IXYS All rights reserved
V
CES
= 900 V
I
C25
=
64 A
V
CE(sat)
= 2.7 V
t
fi typ
= 150 ns
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
V
GE(th)
I
C = 250 μA, VCE = VGE
3.0
5.0
V
I
CES
V
CE
= V
CES
T
J = 25°C50
μA
V
GE
= 0 V
T
J = 150°C
750
μA
I
GES
V
CE = 0 V, VGE = ±20 V
±100
nA
V
CE(sat)
I
C = IC110, VGE = 15 V
2.2
2.7
V
T
J = 125°C
2.1
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J
= 25
°C to 150°C
900
V
V
CGR
T
J
= 25
°C to 150°C; R
GE = 1 MΩ
900
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C
= 25
°C (limited by leads)
64
A
I
C110
T
C
= 110
°C32
A
I
CM
T
C
= 25
°C, 1 ms
200
A
SSOA
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω
I
CM = 64
A
(RBSOA)
Clamped inductive load @
≤ 600V
P
C
T
C
= 25
°C
300
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
Maximum lead temperature for soldering
300
°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
260
°C
M
d
Mounting torque (TO-247)
1.13/10Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
TO-268
4
g
DS99384(12/05)
G = Gate,
C = Collector,
E = Emitter,
TAB = Collector
Features
High frequency IGBT
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
PFC circuits
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
HiPerFASTTM IGBT
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
TO-268 (IXGT)
TO-247 (IXGH)
E
G
B2-Class High Speed IGBTs
Advance Technical Information
C (TAB)
G
C
E
C (TAB)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH40N120A2 | |
| IXGH40N60B2D1 | |
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH32N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH34N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH35N120 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Lightspeed Series |
| IXGH35N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH35N120C | 功能描述:IGBT 70A 1200V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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