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參數資料
| 型號： | IXGN320N60A3 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MINIBLOC-4 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | IXGN320N60A3 |
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J = 25°C to 150°C
600
V
V
CGR
T
J = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
600
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C = 25°C (Chip Capability)
320
A
I
C110
T
C = 110°C
170
A
I
LRMS
Terminal Current Limit
200
A
I
CM
T
C = 25°C, 1ms
1200
A
SSOA
V
GE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 1Ω
I
CM = 320
A
(RBSOA)
Clamped Inductive Load
@0.8 V
CES
P
C
T
C = 25°C
735
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
V
ISOL
50/60Hz
t = 1min
2500
V~
I
ISOL ≤ 1mA
t = 1s
3000
V~
M
d
Mounting Torque
1.5/13
Nm/lb.in.
Terminal Connection Torque (M4)
1.3/11.5
Nm/lb.in.
Weight
30
g
Features
Optimized for Low Conduction Losses
High Avalanche Capability
Isolation Voltage 3000 V~
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Power Inverters
UPS
Motor Drives
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
Inrush Current Protection Circuits
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Min.
Typ.
Max.
BV
CES
I
C
= 1mA, V
GE = 0V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 4mA, V
CE = VGE
3.0
5.0
V
I
CES
V
CE = VCES, VGE = 0V
150 μA
T
J = 125°C
1.5 mA
I
GES
V
CE = 0V, VGE = ±20V
±400 nA
V
CE(sat)
I
C
= 100A, V
GE = 15V, Note 1
1.05
1.25
V
I
C
= 320A
1.46
V
DS99576C(12/09)
GenX3TM 600V IGBT
IXGN320N60A3
V
CES
= 600V
I
C25
= 320A
V
CE(sat) ≤
≤≤≤≤ 1.25V
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal Can Be Used
as Main or Kelvin Emitter
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for
up to 5kHz Switching
E
SOT-227B, miniBLOC
G
E
C
E153432
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
| J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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