- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383199 > IXGR32N60CD1 (IXYS CORP) HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXGR32N60CD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）) |
| 中文描述： | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | IXGR32N60CD1 |
1 - 5
2000 IXYS All rights reserved
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
98631B (7/00)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
600
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
200
A
3
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
Note 1
= I
T,
V
GE
= 15 V
2.1
2.5
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 100 H
45
28
A
A
A
120
I
= 64
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
Maximum Lead and Tab temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
T
C
= 25 C
140
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
300
C
V
ISOL
50/60 Hz, RMS
t = 1 min leads-to housing
2500
V~
Weight
5
g
HiPerFAST
TM
IGBT
with Diode
ISOPLUS247
TM
(Electrically Isolated Backside)
Features
DCB Isolated mounting tab
Meets TO-247AD package Outline
High current handling capability
Latest generation HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
Easy assembly
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
IXGR 32N60CD1
* Patent pending
ISOPLUS 247
TM
(IXGR)
E 153432
Isolated backside*
E
V
CES
I
C25
V
CE(SAT)typ
= 2.1 V
t
fi(typ)
= 600 V
= 45 A
= 55 ns
G
C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGR40N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXGR40N60B | HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGR40N60C | HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| IXGR40N60CD1 | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR50N60B | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGR32N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 900V 2.9 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR35N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR35N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR35N120C | 功能描述:IGBT 70A 1200V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXGR35N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。