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參數(shù)資料
| 型號： | IXGR40N60C |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | IXGR40N60C |
2001 IXYS All rights reserved
98803 (01/01)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi(typ)
= 600 V
=
75 A
2.5
=
75
HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
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(Electrically Isolated Backside)
ISOPLUS 247
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IXGR 40N60C
IXGR 40N60CD1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGR40N60CD1 | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR50N60B | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR50N60BD1 | HiPerFAST IGBT ISOPLUS247 |
| IXGR60N60C2 | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
| IXGR60N60C2D1 | Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGR40N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 27 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 HI SPEED IGBT 600V 27 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR40N60C2G1 | 功能描述:IGBT 晶體管 56Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGR45N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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