- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383201 > IXSK35N120AU1 (IXYS CORP) High Voltage IGBT with Diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXSK35N120AU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT with Diode |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264 |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | IXSK35N120AU1 |
!"
#$%
"
&'
)
(
(
*$$$+
*$$$+
$,-$,./!/
0*,
2345
1
,
1
!
6*0*!71/!
1
618/9!:&' *
;<)!71
3=
* / *! !
05&*
* " !:
;!":<>) -;<).
* /!":=8=
""#
!
)" "
) !8
4 = -425.
5=!8* *
=
$
5!"1-= "!
!71.
!: !
618= :
!#!#
-
8=!/ .
%
"%
%
,
$%@
$,
&'()*+
,,
()-*
,.
!"
%"
#$#"
#$#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSK40N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSK50N60AU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSK50N60BD1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSK50N60BU1 | IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXSK80N60B | High Current IGBT Short Circuit SOA Capability |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSK35N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK40N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK50N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSK50N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。