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JANS1N6310DUS

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    JANS1N6310DUS

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

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  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

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JANS1N6310DUS 技術參數
  • JANS1N6309 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應商器件封裝:E,軸向 標準包裝:1 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR JANS1N6313 JANS1N6313/TR JANS1N6313C JANS1N6313CUS JANS1N6313D JANS1N6313DUS JANS1N6313US JANS1N6314C JANS1N6314CUS JANS1N6314D JANS1N6314DUS
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