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參數資料
型號: K4R441869B-N(M)CK8
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
中文描述: 256 × 16/18位× 32秒銀行直接RDRAMTM
文件頁數: 1/20頁
文件大小: 306K
代理商: K4R441869B-N(M)CK8
Direct RDRAM
Page -1
K4R271669B/K4R441869B
Version 1.11 Oct. 2000
October 2000
Version 1.11
Direct RDRAM
TM
256K x 16/18 bit x 32s banks
128/144Mbit RDRAM(B-die)
相關PDF資料
PDF描述
K4R271669E 128Mbit RDRAM(E-die)
K4R571669D 256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R881869D 256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R761869A-GCN1 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-GCT9 576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
相關代理商/技術參數
參數描述
K4R571669D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256/288Mbit RDRAM(D-die)
K4R761869A-F 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FBCCN1 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCM8 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R761869A-FCT9 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:576Mbit RDRAM (A-die) 1M x 18bit x 32s banks Direct RDRAMTM
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