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參數資料
| 型號： | KSA1242 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Medium Power Amplifier Camera Flash Applications |
| 中文描述： | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | KSA1242 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Collector Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
- 35
- 20
- 8
- 5
- 8
10
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
I
E
= - 1mA, I
C
= 0
V
CB
= - 35V, I
E
= 0
V
EB
= - 8V, I
C
= 0
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 4A
I
C
= - 4A, I
B
= - 0.1A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 4A
V
CE
= - 2V, I
C
= - 0.5A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
Min.
- 20
- 8
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
μ
A
- 100
- 100
320
DC Current Gain
100
70
- 1
- 1.5
V
V
180
50
MHz
pF
O
Y
h
FE1
100 ~ 200
160 ~ 320
KSA1242
Medium Power Amplifier
Camera Flash Applications
h
FE
= 100~320 (V
CE
= -2V, I
C
= -0.5V)
h
FE
= 70 (Min.) (V
CE
= -2V, I
C
= -4A)
Low Saturation Voltage: V
CE
(sat) = -1V (Max.)
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PAK
1
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