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參數(shù)資料
| 型號： | KSC5030 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY) |
| 中文描述： | npn型（高電壓和高可靠性） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | KSC5030 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSC5030 | High Voltage and High Reliabilty |
| KSC5042F | High Voltage Switchihg Dynamic Focus Application |
| KSC5504DT | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| KSC5504D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| KSC945 | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSC5030F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| KSC5030F_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching Transistor |
| KSC5030FOTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC5030FRTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC5030FTBTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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