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參數資料
| 型號： | KSD1020 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Amplifier |
| 中文描述： | 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | KSD1020 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, April 2004
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
f
T
Current Gain Bandwidth Product
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE1
Classification
Classification
Parameter
Ratings
30
25
5.0
700
1.0
350
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
A
mW
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=1V, I
C
=700mA
V
CE
=6V, I
C
=10mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
I
C
=700mA, I
B
=70mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=10mA
Min.
Typ.
Max.
100
100
400
Units
nA
nA
* DC Current Gain
120
35
600
200
140
640
0.2
0.95
13
170
700
0.4
1.2
25
mV
V
V
pF
MHz
50
Y
G
h
FE1
120 ~ 240
200 ~ 400
KSD1020
Audio Frequency Amplifier
Complement to KSB810
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
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參數描述 |
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