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參數資料
| 型號： | KSE200 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Feature |
| 中文描述： | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | KSE200 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter- Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
Parameter
Value
40
25
8
5
15
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
Min.
25
Max.
Units
V
nA
μ
A
nA
I
C
=10mA, I
B
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CB
=40V, I
E
=0 @ T
J
=125
°
C
V
BE
=8V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=500mA
V
CE
=1V, I
C
=2A
V
CE
=2V, I
C
=5A
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=2A, I
C
=200mA
I
C
=5A, I
B
=1A
I
C
=5A, I
B
=1A
V
CE
=1V, I
C
=2A
V
CE
=10V, I
C
=100mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=0.1MHz
100
100
100
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
70
45
10
180
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3
0.75
1.8
2.5
1.6
V
V
V
V
V
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Base- Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
65
MHz
pF
80
KSE200
Feature
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=65MHz @ I
C
=100mA (Min.)
Complement to KSE210
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSE210 | Feature |
| KSE2955 | General Purpose and Switching Applications |
| KSE2955T | General Purpose and Switching Applications |
| KSE3055T | General Purpose and Switching Applications |
| KSE350 | High Voltage General Purpose Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSE200STSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE210 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Feature |
| KSE210STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSE2955 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose and Switching Applications |
| KSE2955T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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