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MLP2012HR47MT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MLP2012HR47MT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

MLP2012HR47MT0S1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
TDK
con
24+
-
電感器

MLP2012HR47MT0S1
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
TDK
con
24+
-
電感器

MLP2012HR47MT0S1
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
5028
TDK
SMD
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

MLP2012HR47MT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TDK
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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MLP2012HR47MT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MLP2012HR47MT 技術參數

MLP2012H2R2MT0S1 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLP2012H1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP1N06CL 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP2012S1R5TT0S1 MLP2012S2R2MT0S1 MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1 MLP2012V1R5MT MLP2012V1R5MT0S1 MLP2012V2R2MT