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參數(shù)資料
| 型號： | MA3J741E |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type for switching type |
| 中文描述： | 0.03 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F1, SC-79, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MA3J741E |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3J741D, MA3J741E
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
I
Features
Two MA3J741s are contained in one package (S-mini type 3-pin)
Low forward rise voltage (V
F
) and satisfactory wave detection
efficiency (
η
)
Small temperature coefficient of forward characteristic
Extremely low reverse current I
R
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
I
F
30
V
Peak reverse voltage
30
V
Forward current
(DC)
Single
30
mA
Double
*
20
Peak forward
current
Single
I
FM
150
mA
Double
*
110
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
EIAJ : SC-70
Flat S-Mini Type Package
(3-pin)
Note) * : Value per hcip
Internal Connection
Marking Symbol
MA3J741D
: M2P
MA3J741E
: M2R
MA3J741D MA3J741E
1
Cathode 1
Anode 1
2
Cathode 2
Anode 2
3
Anode 1,2
Cathode 1,2
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
1
μ
A
Forward voltage (DC)
V
F1
V
F2
C
t
0.4
V
1
V
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f
= 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
Bias Application Unit N-50BU
1.25
±
0.1
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
0
0.425
0.425
0
+
0
0
2.1
±
0.1
0
+
0
0
1
2
3
1
2
3
1
3
2
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
50
t
p
=
2
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
D
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MA3J742 | Silicon epitaxial planar type |
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| MA744 | Silicon epitaxial planar type |
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參數(shù)描述 |
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