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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA3X791 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | MA3X791 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3X791
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For small current rectification
I
Features
Two MA3X786s are contained in one package (series connection)
Allowing to rectify under (I
F(AV)
= 100 mA) condition
Optimum for high-frequency rectification because of its short re-
verse recovery time (t
rr
)
Low V
F
(forward rise voltage), with high rectification efficiency
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Marking Symbol: M4A
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
F
V
R
= 30 V
I
F
= 100 mA
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
15
μ
A
Forward voltage (DC)
0.55
V
Terminal capacitance
C
t
20
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 100 mA
I
rr
= 10 mA, R
L
= 100
2
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 250 MHz
3. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RRM
30
V
Repetitive peak reverse voltage
30
V
Peak forward
current
Single
Series
*2
I
FM
300
mA
200
Average forward
current
Single
Series
*2
I
F(AV)
100
mA
70
Non-repetitive peak forward
surge current
*1
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Note) *1:
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)
*2: Value per chip
JEDEC : TO-236
EIAJ : SC-59
Mini Type Package (3-pin)
1 : Anode 1
2 : Cathode 2
3 : Cathode 1
Anode 2
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
10 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
1
3
2
2.8
+
0.2
0.3
+
0.25
1.5
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
0
0
1
+
0
0
0
0.4
±
0.2
0
0
+
0
0
1
0.1 to 0.3
2
+
0
0
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