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參數資料
型號： MB81ES653225-12
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP
中文描述： 消費/嵌入式SIP應用程序特定的內存
文件頁數： 28/44頁
文件大小： 485K
代理商： MB81ES653225-12
MB81ES653225-12/-12L
28
(Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) *
1,
*
2,
*
3
*1 : All voltages are referenced to V
SS
.
*2 : DC characteristics are measured after following the “22. POWER-UP INITIALIZATION” procedure in section
“
■
FUNCTIONAL DESCRIPTION.”
*3 : I
DD
depends on the output termination or load condition, clock cycle rate, signal clocking rate.
The specified values are obtained with the output open and no termination resistor.
*4 : The measurement conditions of I
DD6
is assumed below.
Total power of devices in package (
Σ
pmax)
=
0.75 W
The thermal resistance of the package (
θ
ja)
=
20
°
C/W
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Min
Max
760
285
640
200
580
155
640
200
580
150
550
130
560
130
540
115
530
105
1000
450
760
290
640
205
Refresh Current
#2 *
4
(Average Power
Supply Current)
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
-12
-12L
I
DD6
Self-refresh;
t
CK
=
Min
CKE
≤
0.2 V
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Max
V
IH
Min
≤
V
IN
≤
V
DDQ
TCSR
=
“00”
(Ta
≤
+
70
°
C)
PASR
=
“000”
(64 Mbit)
μ
A
PASR
=
“001”
(32 Mbit)
PASR
=
“010”
(16 Mbit)
TCSR
=
“01”
(Ta
≤
+
45
°
C)
PASR
=
“000”
(64 Mbit)
PASR
=
“001”
(32 Mbit)
PASR
=
“010”
(16 Mbit)
TCSR
=
“10”
(Ta
≤
+
15
°
C)
PASR
=
“000”
(64 Mbit)
PASR
=
“001”
(32 Mbit)
PASR
=
“010”
(16 Mbit)
TCSR
=
“11”
(Ta
≤
+
85
°
C)
PASR
=
“000”
(64 Mbit)
PASR
=
“001”
(32 Mbit)
PASR
=
“010”
(16 Mbit)
Precharge Stand-
by
Current in Deep
Power Down
mode
-12
I
DD7
CKE
≤
0.2
V
All banks idle
Deep Power Down mode
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Max
V
IH
Min
≤
V
IN
≤
V
DD
50
μ
A
-12L
10
相關PDF資料
PDF描述
MB81ES653225-12L Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP
MB81N643289 DRILL BIT HIGH SPEED STEEL .021,1
MB84VA2102 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
MB84VA2102-10 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
MB84VA2103 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
MB81ES653225-12L 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP
MB81F161622B-10 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622B-102 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622B-75 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622C-70FN 制造商:FUGITSU 功能描述:DRAM (DYNAMIC RAM)
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