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參數(shù)資料
| 型號： | MB81ES653225-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP |
| 中文描述： | 消費/嵌入式SIP應(yīng)用程序特定的內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/44頁 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | MB81ES653225-12 |
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MB81ES653225-12/-12L
42
16. SELF-REFRESH ENTRY AND EXIT TIMING
17. MODE REGISTER SET TIMING
NOP
1
5
SELF
H or L
H or L
t
SI
(Min)
t
CKSP
(Min)
t
RC
(Min)
*4
SELFX
COMMAND
NOP
3
NOP
2
CLK
CKE
Command
*1 : Precharge command (PRE or PALL) should be asserted if any bank is active prior to Self-refresh Entry
command (SELF) .
*2 : The Self-refresh Exit command (SELFX) is latched after t
CKSP
(Min) . It is recommended to apply NOP
command in conjunction with CKE.
*3 : Either NOP or DESL command can be used during t
RC
period.
*4 : CKE should be held high within one t
RC
period after t
CKSP
.
*5 : CKE level should be held less than 0.2 V during self-refresh mode.
ACTV
MRS
MODE
ROW
ADDRESS
NOP
t
RSC
(Min)
CLK
Command
Address
Note : The Mode Register Set command (MRS) should only be asserted after all banks have been precharged.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81ES653225-12L | Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP |
| MB81N643289 | DRILL BIT HIGH SPEED STEEL .021,1 |
| MB84VA2102 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2102-10 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
| MB84VA2103 | 16M (x16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB81ES653225-12L | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP |
| MB81F161622B-10 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MB81F161622B-102 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MB81F161622B-75 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MB81F161622C-70FN | 制造商:FUGITSU 功能描述:DRAM (DYNAMIC RAM) |
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