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參數資料
| 型號： | MBM29PL12LM10PCN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | FLASH MEMORY 128 M (16M ?8/8M ?16) BIT |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-56 |
| 文件頁數： | 46/72頁 |
| 文件大小： | 1036K |
| 代理商： | MBM29PL12LM10PCN |
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MBM29PL12LM
10
46
■
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
■
TSOP (1) PIN CAPACITANCE
Notes :
Test conditions T
A
=
+
25°C, f = 1.0 MHz
DQ
15
/A-
1
pin capacitance is stipulated by output capacitance.
■
FBGA PIN CAPACITANCE
Notes :
Test conditions T
A
=
+
25°C, f = 1.0 MHz
DQ
15
/A-
1
pin capacitance is stipulated by output capacitance.
Parameter
Limits
Unit
Remarks
Min
Typ
Max
Sector Erase Time
—
1
15
s
Excludes programming time prior to
erasure
Programming Time
—
100
3000
μs
Excludes system-level overhead
Effective Page Programming
Time
(Write Buffer Programming)
—
23.5
—
μs
Chip Programming Time
—
—
1200
s
Absolute Maximum
Programming Time (16 words)
—
—
6
ms
Non programming within the same
page
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Test Setup
Value
Unit
Typ
Max
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0
8
10
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
= 0
8
10
pF
Reset pin and WP/ACC Pin
Capacitance
C
IN3
V
IN
= 0
20
25
pF
Parameter
Symbol
Test Setup
Value
Unit
Typ
Max
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0
8
10
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
C
IN2
V
IN
= 0
8
10
pF
Reset pin and WP/ACC Pin
Capacitance
C
IN3
V
IN
= 0
15
20
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM30LV0064-PFTN | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0064-PFTR | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032 | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTR | RES 150-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MBM30000 | 功能描述:BRACKET SIDE MOUNT RoHS:是 類別:工業控制，儀表 >> 配件 系列:* 標準包裝:1 系列:Aero-Motive® 130117 附件類型:拖車帶 適用于相關產品:標準盒式跟蹤系統 其它名稱:WM6183 |
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