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參數(shù)資料
| 型號： | MBM30LV0064-PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 8M X 8 FLASH 3.3V PROM, 7000 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40 |
| 文件頁數(shù)： | 19/43頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0064-PFTR |
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MBM30LV0064
19
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
*1:Refer to Application Note (10) toward the end of this document.
*2:Refer to Application Note (13) toward the end of this document.
This specification is on conditions that ECC system would be combined.
I
VALID BLOCKS
The MBM30LV0064 occasionally contains unusable blocks. Refer to Application Note (12) toward the end of this
document.
I
PIN CAPACITANCE
Notes: 1. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
2. Sampled, not 100% tested.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Remarks
Min.
Typ.
Max.
Average Programming Time
t
PROG
—
200
1000
μ
s
Number of Programming Cycles on Same Page
N
—
—
10
*1
Block Erasing Time
t
BERASE
—
2
10
ms
Number of Program/Erase Cycles
P/E
1
×
10
6
—
—
*2
Parameter
Symbol
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
Valid Block Number
N
VB
1014
1020
1024
Block
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Typ.
Max.
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0
—
10
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0
—
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM30LV0032 | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTN | 32M (4M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0032-PFTR | RES 150-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
| MBM30LV0064 | 64M (8M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0128 | RES 1.5K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 10K/REEL-7IN-PA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM30LV0128 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0128-PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| MBM30LV0128-PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| MBM31048901 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card |
| MBM31262801 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
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