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參數(shù)資料
型號(hào)： MCM63R736
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： 4MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(4M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
中文描述： 晚寫(xiě)的4Mb同步快速靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 7/21頁(yè)
文件大小： 311K
代理商： MCM63R736
MCM63R736
MCM63R818
7
MOTOROLA FAST SRAM
DC OUTPUT BUFFER CHARACTERISTICS — PROGRAMMABLE IMPEDANCE PUSH–PULL OUTPUT BUFFER MODE
(2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V, 0
°
C
≤
TA
≤
70
°
C, ZQ = IZQ (out) (RQ)) (See Notes 1 and 2)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Output Logic Low
IOL
(VDDQ/2) /
[(RQ/5) + 10%]
(VDDQ/2) /
[(RQ/5) – 10%]
A
3
Output Logic High
IOH
(VDDQ/2) /
[(RQ/5) + 10%]
(VDDQ/2) /
[(RQ/5) – 10%]
A
4
Light Load Output Logic Low
VOL
VOH
ZQ
VSS
0.4
V
5
Light Load Output Logic High
VDDQ – 0.4
[(RQ/5) – 10%]
VDDQ
V
6
Programmable Impedance
[(RQ/5) + 10%]
7
NOTES:
1. The impedance controlled mode is expected to be used in point–to–point applications, driving high–impedance inputs.
2. The ZQ pin is connected through RQ to VSS for the controlled impedance mode.
3. VOL = VDDQ/2.
4. VOH = VDDQ/2.
5. IOL
≤
100
μ
A.
6. | IOH |
≤
100
μ
A.
7. 175
≤
RQ
≤
375.
DC OUTPUT BUFFER CHARACTERISTICS — MINIMUM IMPEDANCE PUSH–PULL OUTPUT BUFFER MODE
(2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V, 0
°
C
≤
TA
≤
70
°
C)
(See Notes 1 and 2)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Output Logic Low
VOL2
VSS
0.4
V
3
Output Logic High
VOH2
VDDQ – 0.4
VDDQ
V
4
Light Load Output Logic Low
VOL3
VSS
0.2
V
5
Light Load Output Logic High
VOH3
VDDQ – 0.2
VDDQ
V
6
NOTES:
1. The push–pull output mode is expected to be used in bussed applications and may be series or parallel terminated. Conforms to the JEDEC
Standard JESD8–6 Class I.
2. The ZQ pin is connected to a 100
resistor to VSS to enable the minimum impedance mode.
3. IOL
≥
8 mA.
4. | IOH |
≥
8 mA.
5. IOL
≤
100
μ
A.
6. | IOH |
≤
100
μ
A.
CAPACITANCE
(f = 1.0 MHz, dV = 30 mV, 2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V, 0
°
C
≤
TA
≤
70
°
C, Periodically Sampled Rather Than 100% Tested)
Characteristic
Symbol
Typ
Max
Unit
Input Capacitance
Cin
3.2
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
3.8
6
pF
CK, CK Capacitance
CCK
3.7
5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCM63R819 4MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(4M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
MCM63R836 8MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(8M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
MCM63R918 8MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(8M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
MCM63R918A 8MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(8M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
MCM63R836A 8MBit Synchronous Late Write Fast Static RAM(8M位同步遲寫(xiě)快速靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCM63R836 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCM63R836
MCM63R836A 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:8M Late Write HSTL
MCM63R836FC3.0 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCM63R836
MCM63R836FC3.0R 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCM63R836
MCM63R836FC3.3 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MCM63R836
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